随着半导体制造工艺节点不断缩小，化学机械抛光（CMP）对抛光液中磨料的粒径分布与纯度提出了更高要求。科耐科特凭借自主研发的单分散二氧化硅微球制备技术，为半导体 CMP 领域提供高性能抛光磨料解决方案。
产品技术优势
科耐科特单分散二氧化硅微球采用溶胶-凝胶结合微流控粒径控制技术制备，具有极高的球形度、极窄的粒径分布和超高纯度，可有效降低抛光过程中的表面划伤风险，提升抛光均匀性与材料去除率。
在先进制程下，磨料的单分散性直接决定了 CMP 的最终良率，这是行业共识。
核心性能指标
- 粒径均一：CV 值 < 2%，远优于传统溶胶磨料
- 超高纯度：金属杂质含量 < 1 ppm
- 粒径可调：80nm - 500nm 范围精准可调
- 表面可控：可定制表面修饰以适配不同抛光体系
应用成效
经多家晶圆代工厂验证，采用科耐科特单分散二氧化硅微球的 CMP 抛光液，抛光后表面粗糙度降低约 35%，材料去除率提升约 20%，缺陷密度显著下降。目前产品已实现量产供货，助力国产半导体材料供应链自主可控。